IGBT 23NAB12T4V1

Описание IGBT модуля 23NAB12T4V1

23NAB12T4V1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для использования в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом обратного хода (антипараллельным диодом) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 23 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 46 А |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~250 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.35 °C/Вт |
| Корпус | Стандартный 3-выводной (TO-247 или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги:

• FGA23N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PH40UD (Infineon)
• STGW30NC120HD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (с похожими параметрами):

• IXGH23N120B3 (IXYS)
• HGTG23N120BND (Microsemi)
• APT23GR120J (Microchip)

Другие варианты замены:

• NGTB23N120LWG (ON Semiconductor)
• IKW40N120H3 (Infineon)

Примечания:

• Перед заменой рекомендуется уточнять разводку выводов и параметры работы в конкретной схеме.
• Для мощных применений рекомендуется использовать радиатор.

Если вам нужна точная замена, лучше проверить даташит производителя или обратиться к поставщику.