IGBT 24NAB063T12

Артикул: 294861
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 24NAB063T12
Описание IGBT модуля 24NAB063T12
24NAB063T12 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных силовых установках.
Ключевые особенности:
- Высокая надежность и эффективность.
- Низкие потери при коммутации.
- Встроенный диод для обратного тока.
- Изолированный корпус для удобства монтажа на радиатор.
Технические характеристики
Основные параметры:
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Ток коллектора (IC): 75 А (при 25°C), 50 А (при 100°C)
- Импульсный ток (ICP): 150 А
- Мощность рассеивания (Ptot): 300 Вт
- Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2.0 В (тип.)
- Время включения (ton): 50 нс
- Время выключения (toff): 200 нс
Диодные характеристики:
- Обратное напряжение (VRRM): 1200 В
- Прямой ток (IF): 50 А
- Падение напряжения (VF): 1.8 В
Тепловые параметры:
- Температура перехода (Tj): -40°C до +150°C
- Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0.25 K/Вт
Механические параметры:
- Корпус: модуль с изолированным основанием
- Монтаж: винтовой
- Вес: ~100 г
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Infineon: FF75R12RT4
- Mitsubishi: CM75DY-12H
- Fuji Electric: 2MBI75N-120
- SEMIKRON: SKM75GB12T4
Совместимые модули (по параметрам):
- STMicroelectronics: STGW75HF60WD
- ON Semiconductor: NGTB75N120FL3WG
Применение
- Промышленные приводы
- Сварочные аппараты
- Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы)
- Тяговые преобразователи
Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие электрическим и механическим параметрам.