IGBT 250/16E

Описание IGBT модуля 250/16E

IGBT 250/16E – это силовой модуль с изолированным корпусом, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Он сочетает в себе биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) и диод обратного восстановления (FRD), что обеспечивает эффективное управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 250 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 500 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | до 1200 Вт (с теплоотводом) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C |
| Корпус | Изолированный (обычно SEMIPACK, EconoPACK или аналоги) |

Парт-номера и аналоги:

• ABB: 5SNA 0250P160100
• Infineon: FF250R16KE3
• Mitsubishi: CM250DY-24A (аналог по параметрам)
• Semikron: SKM250GB16D
• Fuji: 2MBI250U2A-060

Совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• IXYS: IXGH250N160
• Toshiba: MG250Q1US41
• Hitachi: MBN250C16

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Тяговые приводы (электропоезда, трамваи)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные системы управления двигателями

Если вам нужны дополнительные данные (например, параметры диода, тепловое сопротивление), уточните – предоставлю детали.