IGBT 250V-1

Описание IGBT 250V-1

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 250V-1 – это мощный полупроводниковый транзистор, предназначенный для коммутации высоких токов в инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах и системах управления электродвигателями. Модель отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и надежностью в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 250 В | | Ток коллектора (I_C) | 1 А (возможно, выше в импульсном режиме) | | Ток коллектора (импульсный, I_CM) | Уточняется по datasheet | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.5–2.5 В (зависит от тока) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | Зависит от корпуса (обычно 50–100 Вт) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | Наносекундный/микросекундный диапазон | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-220, TO-247 или аналогичный | | Совместимые драйверы | IR2110, TLP250, HCPL-3120 и др. |

Парт-номера и аналоги

В зависимости от производителя, модель может иметь разные обозначения. Возможные аналоги:

• Infineon: IKW25N120T2 (250V, 25A)
• Fairchild/ON Semi: FGA25N120ANTD (250V, 25A)
• STMicroelectronics: STGW25H120DF2 (250V, 25A)
• Toshiba: GT25Q101 (250V, 25A)

Примечание: Уточните datasheet для точного соответствия параметров, так как название "IGBT 250V-1" может быть сокращенным или устаревшим обозначением.

Совместимые модели в схемах

IGBT 250V-1 может быть заменен на аналоги с близкими параметрами в:

• Инверторах и частотных преобразователях (например, в сварочных аппаратах Ресанта, FUBAG).
• Блоках питания UPS (например, APC, Eaton).
• Приводных системах (двигатели Siemens, ABB).

Для точной замены рекомендуется проверять распиновку и условия работы в конкретной схеме.

Если у вас есть дополнительная информация (производитель, корпус, фото), могу уточнить данные!