IGBT 253GB126HD

Описание IGBT-модуля 253GB126HD

253GB126HD — это IGBT-модуль с напряжением 1200 В и током до 250 А (в зависимости от условий эксплуатации). Модуль предназначен для использования в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумост или другой конфигурации) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 250 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 500 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при номинальном токе) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,12 °C/Вт |
| Корпус | Изолированный (например, SEMiX или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF250R12KE3, FZ250R12KE3
• Mitsubishi: CM250DY-12NFH
• Fuji Electric: 2MBI250U2A-120
• SEMIKRON: SKM250GB126D

Совместимые модули в схожих корпусах:

• 253GB12xHD (серия, где x может обозначать разные параметры)
• 253GB12xT4HD (модификации с улучшенными характеристиками)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электроприводов
• Сварочные аппараты
• Системы рекуперативного торможения

Если вам нужно уточнить конфигурацию (полумост, полный мост и т. д.), рекомендуется свериться с даташитом производителя (например, SEMIKRON или Infineon).

Нужна дополнительная информация? Уточните детали!