IGBT 25A-0233

Описание IGBT 25A-0233

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 25A-0233 – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT транзистор |
| Максимальный ток коллектора (Ic) | 25 А |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В (или другой, уточните) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (стандартно) |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1,5–2,5 В (при номинальном токе) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | Зависит от корпуса (~100–200 Вт) |
| Корпус | TO-247, TO-3P или другой (уточните) |
| Температура хранения/эксплуатации | -55°C до +150°C |
| Встроенный диод | Возможен (Flyback diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 23A, 600V)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 25A, 1200V)
• HGTG20N60A4D (ON Semiconductor, 20A, 600V)
• STGW25H120DF3 (STMicroelectronics, 25A, 1200V)
• IXGH25N60B3D1 (IXYS, 25A, 600V)

Совместимые модули (если IGBT входит в состав модуля):

• SKM200GB12T4 (Semikron)
• FF200R12KT4 (Infineon)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления двигателями
• Импульсные блоки питания

Если у вас есть дополнительные параметры (например, точное напряжение V_CES или корпус), уточните их для более точного подбора аналогов.