IGBT 25AC125V10

Описание и технические характеристики IGBT 25AC125V10

IGBT 25AC125V10 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных коммутационных приложений. Модуль имеет напряжение коллектор-эмиттер 1250 В и номинальный ток 25 А, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1250 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 25 А
• Пиковый ток коллектора (I_CM): 50 А
• Максимальное напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,0 В (при 25 А)
• Мощность рассеяния (P_tot): ~150 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тип корпуса: модульный (обычно TO-247 или аналогичный)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW25N120T2, IKW25N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA25N120ANTD, FGH40N125SMD
• STMicroelectronics: STGW25H120DF, STGW30H120DF
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• IXYS: IXGH25N120B3

Совместимые модели (с похожими параметрами):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 40A)
• HGTG20N120BND (Fairchild, 1200V, 40A)
• APT50GF120J (Microsemi, 1200V, 50A)

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверить datasheet на соответствие по напряжению, току, скорости переключения и тепловым характеристикам.

Нужны ли дополнительные параметры или уточнения?