IGBT 27B16E

Описание и технические характеристики IGBT 27B16E

IGBT 27B16E – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных и инверторных применений. Используется в силовой электронике, таких как:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 27 А |
| Ток импульсный (I_CM) | до 54 А |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 190 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,5 В (при 27 А) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA27N160ANTU (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG27N160B3D (Microsemi)
• IXGH27N160B (IXYS/Littelfuse)
• STGW27H160DF (STMicroelectronics)

Совместимые модели в зависимости от применения:

• Для инверторов: FGA25N120ANTD, IRG4PC50U
• Для сварочных аппаратов: IRGP4063DPBF, IXGH32N170

Если требуется точная замена, необходимо учитывать схему включения, параметры драйвера и тепловой режим.

Нужны дополнительные уточнения? Готов помочь!