IGBT 27N120BN

Описание IGBT 27N120BN

IGBT 27N120BN – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, импульсных источниках питания и других высоковольтных системах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 27 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 54 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,5 В |
| Время включения (t_on) | 55 нс |
| Время выключения (t_off) | 320 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,63 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA27N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG27N120BN (Microsemi)
• IXGH27N120B (IXYS)

Похожие модели с близкими параметрами:

• IRGP4063DPBF (1200 В, 24 А)
• STGW30NC120HD (1200 В, 30 А)
• APT30GR120J (1200 В, 30 А)

Применение

🔹 Инверторы и частотные преобразователи
🔹 Сварочное оборудование
🔹 Импульсные блоки питания
🔹 Управление электродвигателями

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или специфические параметры), уточните запрос!