IGBT 28ANB16V1

Описание IGBT 28ANB16V1

IGBT 28ANB16V1 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он сочетает в себе высокую скорость переключения MOSFET и низкие потери проводимости биполярного транзистора.

Модуль используется в:

• Инверторах и преобразователях частоты
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных сварочных аппаратах

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип прибора | IGBT модуль (NPT-технология) |
| Макс. напряжение VCES | 1600 В |
| Макс. ток коллектора IC| 28 А (при 25°C) |
| Импульсный ток ICM | 56 А |
| Мощность рассеивания P | ~200 Вт (зависит от охлаждения) |
| Напряжение затвора VGE | ±20 В (рекомендуемое ±15 В) |
| Падение напряжения VCE(sat) | ~2.1 В (при IC=28 А) |
| Время включения/выключения (ton/toff) | ~100 нс / ~400 нс |
| Температура перехода Tj| -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (обычно TO-247 или аналогичный) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier) – 28 А, 1600 В
• FGA28N160 (Fairchild/ON Semiconductor) – 28 А, 1600 В
• HGTG28N160 (Microsemi) – 28 А, 1600 В
• STGW28NC16V (STMicroelectronics) – 28 А, 1600 В

Похожие модели (с другими параметрами):

• 30А, 1600В: IRG4PC40W, FGA30N160
• 25А, 1600В: IRG4PC25U, HGTG25N160

Примечания по замене

При выборе аналога учитывайте:

• Напряжение VCES и ток IC должны быть не ниже оригинала.
• Время переключения и VCE(sat) могут влиять на КПД схемы.
• Рекомендуется проверять разводку выводов (pinout) перед заменой.

Если требуется модуль с интегрированным диодом, можно рассмотреть 28ANB16FD (аналоги от Infineon, Mitsubishi).

Нужна более точная информация по конкретному производителю? Уточните – помогу найти datasheet!