IGBT 28-pdip

Описание IGBT 28-PDIP

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе 28-PDIP (Plastic Dual In-line Package) — это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Корпус | 28-PDIP (DIP-28) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В (тип.) |
| Ток коллектора (I_C) | 15–30 А (зависит от модели) |
| Ток импульсный (I_CM) | до 50–60 А |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.5–2.5 В (при ном. токе) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 50–100 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 50–150 нс |
| Встроенный диод | Да (в некоторых моделях) |

Парт-номера (Part Numbers)

Примеры популярных моделей IGBT в корпусе 28-PDIP:

1. IRG4BC30KD (International Rectifier) – 600V, 23A
2. STGP30H60DF (STMicroelectronics) – 600V, 30A, с диодом
3. HGTG30N60A4D (ON Semiconductor) – 600V, 30A
4. FGA25N120ANTD (Fairchild) – 1200V, 25A (альтернатива с другими параметрами)

Совместимые модели

IGBT в корпусе 28-PDIP часто взаимозаменяемы с аналогами при условии совпадения ключевых параметров (V_CES, I_C, мощность). Примеры замен:

• IRG4BC30KD ↔ STGP30H60DF (если допуски по току/напряжению подходят)
• HGTG30N60A4D ↔ IRG4PC50UD (с проверкой на перегрев)

Для точной замены необходимо сверяться с даташитами, учитывая:

• Напряжение и ток,
• Наличие встроенного диода,
• Скорость переключения.

Применение

• Преобразователи частоты,
• Сварочные инверторы,
• Управление электродвигателями,
• ИБП (источники бесперебойного питания).

Если нужны точные параметры конкретной модели — укажите производителя или полный парт-номер.