IGBT 2DI100A-1K

Описание IGBT модуля 2DI100A-1K

2DI100A-1K – это двухканальный IGBT-модуль (Dual IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные силовые установки

Модуль объединяет два IGBT с обратными диодами в одном корпусе, обеспечивая компактное решение для управления мощностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|--------------|
| Тип модуля | Dual IGBT с обратными диодами |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Номинальный ток (I_C) | 100 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | Изолированный (например, SEMIPACK, MiniSKiiP и т.д.) |
| Вес | ~100–150 г (зависит от корпуса) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12KT4, FF100R12KE3
• Mitsubishi (Renesas): CM100DY-12NF, CM100DY-12NFH
• Fuji Electric: 2MBI100VA-060
• Semikron: SKM100GB12T4
• STMicroelectronics: STGW100H65DFB

Совместимые модели (по характеристикам):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD, IRG4PC50FD
• ON Semiconductor: FGA100N60SMD
• Toshiba: MG100Q1US41

Примечание:

При замене модуля важно учитывать:

• Рабочее напряжение и ток нагрузки.
• Тип корпуса и крепление (изолированный/неизолированный).
• Параметры управления (напряжение затвора, время переключения).

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитами производителей.