IGBT 2DI100Z-100-E

Описание IGBT модуля 2DI100Z-100-E

2DI100Z-100-E – это двухканальный IGBT-модуль (Dual IGBT) с обратными диодами, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления электроприводами.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-------------| | Тип модуля | Dual IGBT с обратными диодами | | Макс. напряжение (V_CES) | 1000 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | до 200 А | | Ток обратного диода (I_F) | 100 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~200–300 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,0 В (тип.) | | Время переключения (t_on/t_off) | ~100–300 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,15–0,25 °C/Вт | | Корпус | Стандартный модуль с изолированным основанием (Isolated Baseplate) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12KT4, FF100R12KE3
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI100V-100
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IXYS: IXGN100N60B3

Похожие модели в линейке производителя (возможные вариации):

• 2DI100Z-120-E (1200 В, 100 А)
• 2DI75Z-100-E (1000 В, 75 А)
• 2DI150Z-100-E (1000 В, 150 А)

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнять распиновку и параметры управления затвором (напряжение V_GE, сопротивление затвора). Для точной совместимости лучше использовать оригинальный модуль или аналог с идентичными характеристиками.

Если требуется более детальная информация (например, графики характеристик или рекомендации по драйверам), уточните запрос.