IGBT 2DI100Z120E

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2DI100Z120E

Описание:
2DI100Z120E — это двухканальный IGBT-модуль в стандартном исполнении, предназначенный для высоковольтных и силовых приложений. Модуль включает в себя два IGBT-транзистора с обратными диодами, что делает его подходящим для инверторов, преобразователей частоты, сварочного оборудования и других промышленных систем управления мощностью.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------------| | Тип модуля | Двухканальный IGBT с диодом (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 100 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~300 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Температурный диапазон | -40°C до +150°C | | Корпус | Стандартный модуль (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS VUM100-12E1
• Infineon FF100R12KT4
• Mitsubishi CM100DY-12H
• Fuji Electric 2MBI100N-120
• Semikron SKM100GB12T4

Совместимые модули (по характеристикам):

• 2DI75Z120E (75 А, 1200 В)
• 2DI150Z120E (150 А, 1200 В)
• 1DI100Z120E (одиночный IGBT, 100 А, 1200 В)

Примечание: При замене модуля необходимо учитывать электрические параметры, тепловые характеристики и конструкцию платы. Рекомендуется сверяться с документацией производителя перед использованием аналогов.

Если вам нужна дополнительная информация (например, схемы включения или datasheet), уточните запрос!