IGBT 2DI100Z-120E

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 2DI100Z-120E

Тип: Двойной IGBT-модуль с обратными диодами
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 100 А
• Ток коллектора (I_C при 80°C): 70 А (зависит от условий охлаждения)
• Импульсный ток (I_CP): 200 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 500 Вт (при T_c = 25°C)
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,0 В (при I_C = 100 А)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс
• Встроенные обратные диоды: Да
• Корпус: модульный, изолированный (например, 62 мм)

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12YT3, FF100R12KT3
• Mitsubishi: CM100DY-12H
• Fuji: 2MBI100U4H-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IXYS: MIXA100PH120

Парт-номера от других производителей:

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG100Q2YS40
• STMicroelectronics: STGW100H120DF

Применение:

• Промышленные частотные преобразователи
• Инверторы для электродвигателей
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик или температурные зависимости), уточните запрос.