IGBT 2DI150A-120

IGBT 2DI150A-120: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT-модуль 2DI150A-120 – это двухканальный (Dual) транзистор с изолированным затвором (IGBT) и интегрированным быстрым диодом (FRD). Предназначен для применения в преобразователях частоты, инверторах, импульсных источниках питания и других мощных электронных устройствах.

Основные характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + FRD (двухканальный) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 300 А |
| Мощность (P_tot) | 800 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 90 нс / 400 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |
| Корпус | Изолированный (с керамической подложкой) |

Парт-номера и совместимые модели

• Прямые аналоги:

  • Infineon: FF150R12RT4, FF150R12KT3
  • Mitsubishi: CM150DY-12H
  • Fuji Electric: 2MBI150VA-120-50
  • SEMIKRON: SKM150GB12T4
  • IXYS: IXGH150N120B3

• Совместимые замены:

  • IR (Infineon): IRG4PH50UD
  • Toshiba: MG150Q1US41

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы
• Сварочное оборудование
• Тяговые преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Особенности

• Высокая перегрузочная способность
• Низкие динамические потери
• Встроенный температурный датчик (в некоторых версиях)
• Изолированный корпус для удобства монтажа

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики характеристик), уточните – предоставлю детали.