IGBT 2DI150A-120B

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2DI150A-120B

Тип: Двойной IGBT-модуль с обратным диодом (Half-Bridge)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании и промышленных системах.

Основные технические характеристики:

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C @25°C): 150 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 300 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (типовое)
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 5–6,5 В
• Сопротивление затвор-эмиттер (R_GE): 1–10 Ом
• Энергия включения/выключения (E_on/E_off): Уточняется у производителя

Параметры встроенного диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 150 А
• Падение напряжения (V_F): 1,8 В (типовое)

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): ~0,12 °C/Вт
• Крепление: Винтовое (M6)

Механические характеристики:

• Корпус: Стандартный модуль (например, SEMiX или аналогичный)
• Вес: ~200–250 г (зависит от производителя)

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные и альтернативные обозначения:

• Infineon: 2DI150A-120B (возможна другая маркировка в зависимости от серии)
• Mitsubishi: CM150DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI150N-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD (одиночный, но можно использовать в паре)
• IXYS: MIXA150W1200T
• STMicroelectronics: STGW40H120DF2 (меньший ток, но совместим по напряжению)

Применение:

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание: Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции.

Если вам нужны более точные данные (например, графики потерь или параметры при высоких температурах), уточните у производителя или в даташите.