IGBT 2DI150M-120

IGBT 2DI150M-120
Артикул: 294941

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT 2DI150M-120

Описание IGBT модуля 2DI150M-120

Производитель: Infineon Technologies (ранее EUPEC, Siemens Semiconductors)
Тип: Двухканальный IGBT-модуль с обратными диодами
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.


Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC при 25°C) | 150 А |
| Ток коллектора (IC при 80°C) | 100 А |
| Импульсный ток (ICM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.3 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 45 нс |
| Время выключения (toff) | 250 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.12 К/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |
| Корпус | модуль (изолированный) |

Встроенные диоды:

  • Обратные диоды (FRD) с характеристиками:
    • Макс. напряжение: 1200 В
    • Ток: 150 А

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули Infineon/EUPEC:

  • 2DI150D-120
  • 2DI150M-120F (аналогичный, с улучшенными параметрами)
  • 2DI150E-120 (устаревшая версия)

Совместимые аналоги других производителей:

  • Mitsubishi: CM150DY-12S
  • Fuji Electric: 2MBI150N-120
  • Semikron: SKM150GB12T4
  • IXYS: MIXA150W1200T

Примечание

Модуль 2DI150M-120 относится к устаревшей серии, но еще встречается на рынке. При замене рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в схемотехнике и охлаждении.

Если требуется более современная замена, можно рассмотреть Infineon FF150R12RT4 или аналоги в корпусе EconoDUAL™.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!

Товары из этой же категории