IGBT 2DI150ZA

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2DI150ZA

Описание:
IGBT модуль 2DI150ZA – это двухканальный (Dual) IGBT-транзистор с обратным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | Dual IGBT (2 в 1) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.0 В (при 150 А) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | модульный, изолированный |

Встроенный обратный диод (FWD):

• Максимальное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 150 А

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: FF150R12KT4, FF150R12KE3
• Mitsubishi: CM150DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI150N-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• 2DI150A-120 (аналог с близкими параметрами)
• 2DI150D-120 (альтернатива с улучшенными динамическими характеристиками)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если нужна дополнительная информация по замене или схемам применения, уточните детали!