IGBT 2di75050a

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2DI75050A

Описание:
IGBT-модуль 2DI75050A — это двухканальный (dual) IGBT-транзистор с интегрированными диодами обратного хода (антипараллельными диодами). Предназначен для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Dual IGBT (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (типовое) |
| Встроенные диоды | Да (Fast Recovery Diode) |
| Макс. мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт |
| Температура хранения (T_stg) | от -40°C до +150°C |
| Рабочая температура (T_j) | до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт |
| Корпус | Пластиковый, изолированный (обычно TO-247 или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги и замены:

• 2DI75050A (оригинал)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N60A4 (Fairchild/ON Semi)
• STGW40H60DLF (STMicroelectronics)
• FGA75N60 (Fairchild/ON Semi)

Совместимые модули в схожих корпусах:

• 2DI75H50 (аналог с похожими параметрами)
• CM75DY-24H (Mitsubishi)
• SKM75GB12T4 (SEMIKRON)

Примечание:
При замене модуля необходимо учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также схему управления затвором.

Если у вас есть конкретное применение, можно подобрать более точный аналог.