IGBT 2DI75M-050

Описание IGBT-модуля 2DI75M-050

2DI75M-050 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для мощных инверторных и импульсных преобразователей энергии. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through) и обладает высокой надежностью, низкими коммутационными потерями и хорошей перегрузочной способностью.

Применяется в:

• Промышленных инверторах и частотных преобразователях
• Сварочном оборудовании
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводах

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|--------------| | Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) | | Максимальное напряжение (V_CES) | 500 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А | | Пиковый ток (I_CM) | 150 А | | Мощность (P_tot) | до 300 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.35 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (обычно TO-247 или подобный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N50T
• Fuji Electric: 2MBI75N-050
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Semikron: SKM75GB063D
• IXYS: IXGH75N50

Cross-reference (альтернативные обозначения):

• 2DI75M-050 (оригинальный номер)
• 2DI75M050 (вариант написания)
• 75A 500V IGBT Module (общее описание)

Примечания

• Перед заменой проверьте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
• Рекомендуется использовать аналоги с идентичными или улучшенными параметрами.

Если вам нужна дополнительная информация по конкретному производителю или схема подключения, уточните детали.