IGBT 2ED020112-F1

Описание и технические характеристики IGBT 2ED020112-F1

Описание:

IGBT 2ED020112-F1 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, импульсные источники питания, электроприводы и другие системы управления мощностью. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери и надежную работу в условиях высоких токов и напряжений.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 20 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 40 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 20 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (или другой, в зависимости от версии) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от других производителей:

  • Infineon: IKW20N120T2
  • STMicroelectronics: STGW20H120DF2
  • Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
  • Mitsubishi: CM200DY-24A

• Совместимые модули в той же серии:

  • 2ED020112-F2 (модификация с улучшенными динамическими характеристиками)
  • 2ED020112-F3 (версия с более низким V_CE(sat))

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или параметры драйвера), уточните запрос.