IGBT 2-HGT1N40N60A4D

Описание и технические характеристики IGBT 2-HGT1N40N60A4D

Описание:
IGBT 2-HGT1N40N60A4D – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах. Этот компонент обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью.

Производитель:
Компания Microsemi (ныне часть Microchip Technology).

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 1 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_CM) | 2 А (импульсный) |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 40 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.7 В (при I_C = 1 A) |
| Время включения (t_on) | 18 нс |
| Время выключения (t_off) | 55 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и заменители:

• HGT1N40N60A4 (Microsemi, аналогичный корпус и параметры)
• IRG4BC30FD (International Rectifier, 600V, 3A, TO-252)
• FGH40N60SFD (Fairchild/ON Semi, 600V, 40A, но в другом корпусе – требует проверки схемы)
• STGB1N60A4 (STMicroelectronics, 600V, 1A, DPAK)

Рекомендуемые для замены (с проверкой по datasheet):

• HGT1N60N60A4D (аналог с тем же напряжением, но другой ток)
• IXGH40N60B3D1 (IXYS, 600V, 40A, но в корпусе TO-247 – требует адаптации)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Устройства плавного пуска

Если вам нужны точные аналоги, лучше свериться с даташитами конкретных производителей, так как параметры могут отличаться.