IGBT 2-IXGN80N60A2D1

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2-IXGN80N60A2D1
Описание IGBT 2-IXGN80N60A2D1
IXGN80N60A2D1 — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 80 А. Он предназначен для высокоэффективных силовых приложений, таких как:
- Инверторы и преобразователи частоты
- Сварочное оборудование
- Управление электродвигателями
- Импульсные источники питания
Ключевые особенности:
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
- Быстрое переключение с малыми динамическими потерями
- Высокотемпературная стабильность
- Встроенный обратный диод (антипараллельный)
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 80 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 50 А |
| Ток импульсный (ICM) | 160 А |
| Падение напряжения VCE(sat) (при IC = 40 А) | 1.7 В |
| Время включения (td(on)) | 18 нс |
| Время выключения (td(off)) | 150 нс |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт |
| Температура перехода (Tj) | от -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены от других производителей:
- Infineon: IKW40N60T (600 В, 40 А)
- STMicroelectronics: STGW40N60KD (600 В, 40 А)
- Fuji Electric: 2MBI100U4A-060 (600 В, 100 А)
- Mitsubishi: CM600DU-24NFH (600 В, 600 А, для мощных инверторов)
Прямые аналоги от IXYS (Littelfuse):
- IXGN80N60B2D1 (более новая версия с улучшенными характеристиками)
- IXGH80N60B3D1 (более высокий ток и мощность)
Примечание по замене
При выборе аналога важно учитывать:
- Рабочее напряжение и ток
- Скорость переключения
- Наличие встроенного диода
- Корпус и монтаж
Если требуется более мощный вариант, можно рассмотреть IXGN100N60B3D1 (100 А, 600 В).
Если нужна дополнительная информация по применению или спецификации — уточните!