IGBT 2-IXSN80N60AU1

Описание IGBT 2-IXSN80N60AU1

IXSN80N60AU1 – это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 80 А. Модуль разработан для высокоэффективных силовых приложений, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) для минимизации потерь.
• Быстрое переключение и высокая устойчивость к перегрузкам.
• Встроенный обратный диод для защиты от перенапряжений.
• Корпус TO-247 или аналогичный, обеспечивающий хороший теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 80 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 160 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Входная емкость (C_ies) | ~3000 пФ | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальный номер и аналоги от других производителей:

• IXYS (Littelfuse): IXSN80N60AU1
• Infineon: IKW80N60T (IKW80N60H3)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH80N60SMD
• STMicroelectronics: STGW80N60SMD
• Toshiba: GT80N60SMD

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRGP80B60PD1 (International Rectifier)
• HGTG80N60A4D (Fairchild)
• APT80N60BC2 (Microsemi)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и UPS
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров и корпуса. Для высоконагруженных схем важны условия охлаждения и режимы работы.