IGBT 2MBI100HB120-50

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI100HB120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (серия NX)
Тип: IGBT-модуль (двухключевой, Half-Bridge)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании, промышленных системах.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 100 А (при T_c = 80°C)
• Пиковый ток (I_CP): 200 А
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,2 В (при I_C = 100 А)
• Напряжение насыщения диода (V_F): 1,8 В
• Время включения (t_on): 0,35 мкс
• Время выключения (t_off): 1,0 мкс
• Встроенный свободно-вращающий диод (FRD): Да

Тепловые параметры:

• Максимальная рабочая температура перехода (T_j): 150°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,35 °C/Вт

Механические параметры:

• Корпус: 2-в-1, модуль с изолированным основанием
• Монтаж: Винтовое крепление
• Габариты (Д × Ш × В): 62 × 108 × 30 мм (примерно)

Совместимые и альтернативные модели

Парт-номера Mitsubishi Electric:

• 2MBI100HB-120-50 (аналогичная маркировка)
• 2MBI100U4H-120-50 (возможный аналог с улучшенными характеристиками)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI100HB-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• ON Semiconductor: NXH100B120H4Q1

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• UPS и системы резервного питания

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты и консультироваться с поставщиками, так как параметры могут незначительно отличаться.