IGBT 2MBI100J120

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 2MBI100J120

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT-модуль (двухключевой, Half-Bridge)
Назначение: Управление мощными электродвигателями, инверторы, преобразователи частоты, сварочное оборудование и другие силовые электронные системы.

Основные технические характеристики:

1. Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C), 50 А (при 80°C)
• Пиковый ток (I_CP): 200 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ≤ 2,5 В (при I_C = 100 А)
• Время включения (t_on): ~ 80 нс
• Время выключения (t_off): ~ 400 нс

2. Параметры диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток диода (I_F): 100 А
• Падение напряжения на диоде (V_FM): ≤ 2,5 В

3. Тепловые характеристики:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): ~ 0,25 °C/Вт
• Максимальная температура перехода (T_j): 150 °C

4. Механические параметры:

• Корпус: 2 в 1 (Half-Bridge), изолированный
• Монтаж: винтовой
• Габариты: ~ 62 × 108 × 17 мм

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 2MBI100J120-50 (уточненная версия)
• 2MBI100VA-120 (альтернативная модель с близкими параметрами)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• Hitachi: MBN1000E12

Применение:

• Частотные преобразователи
• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или замене, укажите условия эксплуатации.