IGBT 2MBI100N-120

Описание IGBT модуля 2MBI100N-120

Модель: 2MBI100N-120
Производитель: Mitsubishi Electric (или другой бренд, если уточнено)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (встроенный обратный диод)
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): до 200 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~300–400 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Класс изоляции: 2500 В (между основанием и цепями)

Параметры переключения:

• Время включения (t_on): ~50–100 нс
• Время выключения (t_off): ~200–400 нс
• Пороговое напряжение (V_GE(th)): 5–7 В
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2.0–2.5 В (при номинальном токе)

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.25–0.35 °C/Вт

Встроенный диод:

• Максимальный обратный ток (I_F): 100 А
• Прямое падение напряжения (V_F): ~1.5–2.0 В

Корпус:

• Тип: модуль с изолированным основанием (например, NX или NF серия)
• Монтаж: винтовое подключение, требует термопасты и радиатора

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: 2MBI100U4-120, 2MBI100VA-120
• Infineon: FF100R12KT4, FF100R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI100-120, 2MBI100C-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• ON Semiconductor: NXH100B120L3Q0

Совместимые модули (по характеристикам):

• 1200V / 100A:
  • CM100DY-12H (Powerex)
  • SK100GB128 (SEMIKRON)
  • MG12100-W (Littelfuse)

Примечания:

1. Перед заменой убедитесь в совпадении распиновки и характеристик.
2. Рекомендуется использовать оригинальный модуль или сертифицированные аналоги.
3. Для точных данных сверяйтесь с даташитом производителя (Mitsubishi Electric или другого бренда).

Если вам нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните запрос!