IGBT 2MBI100NB120

Описание IGBT-модуля 2MBI100NB120

2MBI100NB120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления двигателями и промышленных источниках питания.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) при 25°C | 100 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 200 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 330 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.4 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | 110 нс |
| Время выключения (t_off) | 420 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | 2-pack (изолированный) |
| Схема подключения | 2 IGBT + 2 диода (полумост) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 2MBI100N-120 (устаревшая версия)
• 2MBI100NB-120 (модифицированная версия)
• CM100DY-24H (аналог от Powerex)

Совместимые аналоги от других производителей:

• SKM100GB12T4 (Semikron)
• FF100R12KT4 (Infineon)
• MG100Q2YS40 (Fuji Electric)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Промышленные системы управления двигателями
• ИБП и источники питания

Если нужна более детальная информация по заменам или схемам подключения, уточните запрос!