IGBT 2MBI100UM-120

Описание IGBT модуля 2MBI100UM-120

2MBI100UM-120 – это IGBT-модуль второго поколения, разработанный компанией Mitsubishi Electric. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации. Предназначен для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения.
• Встроенные диоды с быстрым восстановлением.
• Высокая надежность и термостабильность.
• Оптимизированная конструкция для снижения паразитной индуктивности.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Half-Bridge (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 100 А (при 80°C) |
| Ток при 25°C (I_C) | 200 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 90 нс |
| Время выключения (t_off) | 400 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Термосопротивление (R_th(j-c)) | 0,21 °C/Вт |
| Корпус | 6-выводной, изолированный |
| Вес | ~100 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Mitsubishi:

• 2MBI100U4A-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 2MBI100U4B-120 (модификация с другим корпусом)
• 2MBI100U4C-120 (более новая версия)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI100U-120
• Semikron: SKM100GB12T4
• IXYS (Littelfuse): IXGH100N120B3

При замене рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как могут быть различия в схемотехнике.

Применение

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями

Если требуется дополнительная информация по подключению или даташит, уточните запрос.