IGBT 2MBI150L120

Описание IGBT-модуля 2MBI150L120

2MBI150L120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Модуль выполнен в двухключевой топологии (2 in 1) и содержит два IGBT-транзистора с обратными диодами (FRD). Корпус обеспечивает хорошее охлаждение и электрическую изоляцию.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Производитель | Mitsubishi Electric |
| Тип модуля | IGBT 2 in 1 (NPT) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ном. ток коллектора (I_C) | 150 А (@25°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | ~400 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | ~80 нс |
| Время выключения (t_off) | ~400 нс |
| Температура эксплуатации | -40°C … +150°C |
| Корпус | 2MBI (изолированный) |
| Схема подключения | 2 IGBT + 2 FRD (полумост) |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные аналоги от Mitsubishi:

• 2MBI150U4H-120 (более новая версия)
• 2MBI150N-120 (аналог в другом корпусе)
• CM150DY-24H (от Powerex, совместим по параметрам)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI150L-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Примечания

• Модуль требует использования качественного теплоотвода и правильного монтажа.
• Рекомендуется использовать драйверы с гальванической развязкой (например, M57962L).
• Перед заменой на аналог следует уточнить распиновку и характеристики.

Если нужна дополнительная информация (графики, схемы подключения), уточните запрос.