IGBT 2MBI150NB-120

Описание IGBT модуля 2MBI150NB-120

2MBI150NB-120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль имеет встроенный диод обратного тока (FRD) для защиты от перенапряжений.

Производитель: Mitsubishi Electric (серия N-series)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC @ 25°C) | 150 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 600 Вт |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения/выключения (ton/toff) | 0.3 мкс / 1.5 мкс |
| Диод обратного тока (FRD) | Встроенный |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.21 °C/Вт |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Корпус | 2-в-1 (два IGBT + диоды) |
| Монтаж | Винтовой (изолированный основание) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги Mitsubishi:

• 2MBI150U4B-120 (новейшая версия)
• 2MBI150NB-120-50 (вариант с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI150N-120
• Semikron: SKM150GB12T4
• ON Semiconductor: NXH150B12H1Q2

Аналоги в других корпусах / с другими параметрами:

• 2MBI100NB-120 (100 А, 1200 В)
• 2MBI200NB-120 (200 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Перед заменой модуля на аналог проверьте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в схемотехнике. Рекомендуется использовать оригинальные модули Mitsubishi для критичных применений.

Если нужна дополнительная информация (например, графики зависимостей или схемы подключения), уточните!