IGBT 2MBI150ND-060

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI150ND-060
Описание и технические характеристики IGBT-модуля 2MBI150ND-060
Производитель: Mitsubishi Electric (серия NX)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (FRD)
Конфигурация: Два IGBT + два диода в одном корпусе (Half-Bridge)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 150 А |
| Пиковый ток (ICM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 60 нс |
| Время выключения (toff) | 150 нс |
| Диод обратного хода (FRD): | Встроенный |
| Тип корпуса: | 2-in-1, модульный |
| Температура хранения: | -40°C до +125°C |
| Рабочая температура: | -20°C до +150°C (корпус) |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные аналоги Mitsubishi:
- 2MBI150N-060 (аналог без встроенного датчика тока)
- 2MBI150U4-060 (новейшая версия с улучшенными характеристиками)
Совместимые модели других производителей:
- Infineon: FF150R06KE3
- Fuji Electric: 2MBI150N-060 (аналогичная серия)
- SEMIKRON: SKM150GB066D
- ON Semiconductor: NXH150B60H3Q2
Применение
- Частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Системы управления двигателями
- ИБП и солнечные инверторы
Модуль 2MBI150ND-060 обладает высокой надежностью и подходит для промышленного использования. Если нужен аналог, можно рассмотреть варианты от Infineon или SEMIKRON с похожими характеристиками.
Нужна дополнительная информация?