IGBT 2MBI150NE-120

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI150NE-120
Описание IGBT-модуля 2MBI150NE-120
Производитель: Mitsubishi Electric (или другой бренд, в зависимости от фактического производителя)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT-IGBT)
Назначение: Используется в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других высоковольтных приложениях.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 150 А |
| Импульсный ток коллектора (ICP) | 300 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.2 В (при IC = 150 А) |
| Время включения (ton) | 60 нс |
| Время выключения (toff) | 200 нс |
| Диод обратного хода (FRD) | Встроенный |
| Температурный диапазон | -40 °C … +150 °C |
| Корпус | модуль с изолированным основанием |
Аналоги и совместимые модели
Парт-номера Mitsubishi:
- 2MBI150N-120 (аналог без встроенного диода)
- 2MBI150U4-120 (другая серия, но с похожими характеристиками)
- CM150DY-24H (от Powerex)
Аналоги других производителей:
- FF150R12KE3 (Infineon)
- SKM150GB12T4 (Semikron)
- MG150Q1US41 (Toshiba)
Примечания по замене
- Перед заменой проверьте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
- Обратите внимание на охлаждение – модуль требует эффективного теплоотвода.
- Рекомендуется проверять datasheet перед установкой аналога.
Если вам нужны более точные данные, укажите производителя (например, Fuji Electric, Mitsubishi и т. д.), и я уточню информацию.