IGBT 2MBI150UB120-50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI150UB120-50
Описание IGBT модуля 2MBI150UB120-50
Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, в зависимости от фактического бренда)
Тип: Двухключевой IGBT модуль с диодом обратного хода (DUAL IGBT + Diode)
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC при 25°C) | 150 А | | Макс. импульсный ток (ICM) | 300 А | | Макс. рассеиваемая мощность (Ptot) | 500 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при 150 А) | | Время включения/выключения (ton/toff) | н/д (уточнять в даташите) | | Температура хранения/эксплуатации | -40°C до +150°C | | Корпус | Стандартный модульный (например, 2 in 1) | | Изоляция | Гальваническая изоляция (2500 В и более) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Mitsubishi: CM150DU-12NFH, CM150DY-12NFH
- Infineon: FF150R12RT4
- Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
- SEMIKRON: SKM150GB12T4
Совместимые модели (по характеристикам):
- 1200 В / 150 А:
- 2MBI150U2A-120 (Fuji)
- SKM150GB12T4 (SEMIKRON)
- FF150R12KE3 (Infineon)
Примечания:
- Перед заменой необходимо сверять распиновку и конструктив корпуса.
- Рекомендуется проверять даташиты конкретных производителей, так как параметры (например, тепловое сопротивление) могут отличаться.
- Для точного подбора аналога используйте кросс-референсные базы (например, Octopart, Datasheet Archive).
Если нужен даташит или уточнение параметров — укажите, и я помогу найти подробную информацию.