IGBT 2MBI150VH-120-50

Описание IGBT модуля 2MBI150VH-120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, в зависимости от фактического производителя)

Тип: Двухканальный IGBT-модуль с обратным диодом (Dual IGBT module with built-in freewheeling diode)

Назначение:
Используется в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления двигателями и других промышленных приложениях.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CP): 300 А
• Максимамое напряжение затвора (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2.3 В (при номинальном токе)
• Встроенный диод: Да (Fast Recovery Diode)
• Параметры встроенного диода:
  • Макс. прямой ток (I_F): 150 А
  • Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В

Тепловые параметры:

• Максимальная температура перехода (T_j): 150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.25 °C/W

Механические параметры:

• Корпус: Изолированный модуль (N-type)
• Монтаж: Винтовое крепление
• Вес: ~200-300 г (зависит от производителя)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi:
  • 2MBI150VA-120-50
  • 2MBI150U4H-120-50
• Infineon (аналогичные параметры):
  • FF300R12KE3
  • FZ150R12KE3
• Fuji Electric:
  • 2MBI150U4H-120
• Semikron:
  • SKM150GB12T4

Совместимые модели других производителей:

Модули с аналогичными параметрами (1200 В, 150 А, двухканальные):

• IXYS: IXGH150N120B3
• Toshiba: MG150Q1US41

Примечание

Перед заменой модуля важно учитывать:

• Распиновку и конструкцию корпуса
• Параметры встроенного диода
• Условия охлаждения

Если требуется точная замена, лучше использовать оригинальный номер производителя или консультироваться с технической документацией.

Нужны дополнительные данные? Готов уточнить!