IGBT 2MBI200BU-120

Описание IGBT-модуля 2MBI200BU-120

2MBI200BU-120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный компанией Fuji Electric. Модуль предназначен для применения в силовой электронике:

• Частотные преобразователи
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы и выпрямители

Модуль имеет встроенный диод обратного восстановления (FRD), что обеспечивает эффективную работу в инверторных схемах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------------|-------------| | Производитель | Fuji Electric | | Тип модуля | IGBT + Диод (2 in 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 200 А | | Макс. ток коллектора (I_CM) | 400 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~600 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Температура эксплуатации (T_j) | -40°C ... +150°C | | Тип корпуса | 2-pack (изолированный) | | Сопротивление изоляции | ≥2500 В (мин.) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Fuji Electric:

• 2MBI200U2A-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 2MBI200U4A-120 (версия с повышенной перегрузочной способностью)
• 2MBI200U6A-120 (аналог с низкими потерями)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi Electric: CM200DU-12NFH
• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• ON Semiconductor: NXH200B120H4Q1

Особенности и применение

• Высокая перегрузочная способность (до 400 А импульсно).
• Низкие динамические потери благодаря быстрому переключению.
• Встроенный температурный датчик (NTC) в некоторых модификациях.
• Подходит для замены в ремонте инверторов и ЧПУ-приводов.

Если вам нужна более точная информация по замене, уточните тип схемы и условия эксплуатации.