IGBT 2MBI200HH-120-50

​2MBI200HH-120-50 — это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства компании Fuji Electric. Он предназначен для высокоэффективного управления мощностью в различных приложениях, таких как приводы двигателей, источники бесперебойного питания (UPS) и инверторы.​

Технические характеристики:

• Конфигурация: двойной модуль IGBT​

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CE): 1200 В​

• Максимальный ток коллектора (I_C): 200 А​

• Напряжение насыщения V_CE(sat): 3,3 В​

• Максимальная рассеиваемая мощность: 1790 Вт​

• Рабочий температурный диапазон: от -40°C до +125°C​

• Максимальная температура перехода (T_j): 150°C​

• Корпус: стандартный 2-пакетный модуль (размер 62x108 мм)​

• Технология: серия H, высокоскоростной модуль​

• Наличие встроенного диода: да​

Совместимые модели и аналоги:

Модули IGBT с аналогичными характеристиками, которые могут служить заменой или альтернативой для 2MBI200HH-120-50, включают:​

• 2MBI200L-060: модуль IGBT с напряжением 600 В и током 200 А​

• 2MBI200L-120: модуль IGBT с напряжением 1200 В и током 200 А​

• 2MBI200N-060: модуль IGBT с напряжением 600 В и током 200 А​

• 2MBI200N-120: модуль IGBT с напряжением 1200 В и током 200 А​

При выборе замены важно учитывать электрические параметры, конструктивные особенности и требования конкретного приложения. Рекомендуется обратиться к технической документации или проконсультироваться с производителем оборудования для обеспечения полной совместимости.