IGBT 2MBI200N060-03

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI200N060-03
Описание и технические характеристики IGBT-модуля 2MBI200N060-03
Описание:
2MBI200N060-03 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Fuji Electric, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах промышленной автоматизации. Модуль включает два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) топологии.
Основные характеристики:
| Параметр | Значение |
|-----------|------------|
| Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток (IC) | 200 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (ICP) | 400 А |
| Мощность потерь (Ptot) | 240 Вт |
| Напряжение затвора (VGE) | ±20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (VCE(sat)) | 1,45 В (при 200 А) |
| Время включения (ton) | 80 нс |
| Время выключения (toff) | 350 нс |
| Температура эксплуатации (Tj) | -40°C до +150°C |
| Корпус | 2MBI (изолированный, с винтовыми клеммами) |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги от Fuji Electric:
- 2MBI200N060-03 (основная модель)
- 2MBI200N060-03-50 (версия с улучшенными характеристиками)
- 2MBI200N060-03-51 (альтернативная модификация)
Аналоги от других производителей:
- SKM200GB066D (Semikron)
- FF200R06KE3 (Infineon)
- CM200DY-24NF (Mitsubishi Electric)
Совместимые модули в других корпусах:
- 6MBI200N060-03 (шеститранзисторная версия)
- 1MBI200N060-03 (однотранзисторная версия)
Применение:
- Преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- ИБП и солнечные инверторы
Модуль отличается высокой надежностью, низкими динамическими потерями и хорошей термостабильностью.
Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется уточнить параметры схемы и рабочие условия.