IGBT 2mbi200n-060-10

Описание IGBT-модуля 2MBI200N-060-10

2MBI200N-060-10 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Mitsubishi Electric, предназначенный для использования в импульсных преобразователях, инверторах, частотных приводах и других силовых электронных устройствах. Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем высокую эффективность и надежность в условиях высоких токов и напряжений.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Производитель | Mitsubishi Electric | | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение VCES | 600 В | | Макс. ток IC (при 25°C) | 200 А | | Макс. импульсный ток ICM | 400 А | | Падение напряжения VCE(sat) | 1,8 В (тип.) | | Встроенный диод | Да (быстрый восстановительный) | | Макс. частота переключения | до 20 кГц | | Корпус | 2MBI (изолированный) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C (Tj) | | Вес | ~100 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные Mitsubishi Electric:

• 2MBI200U2B-060 (аналог с похожими параметрами)
• 2MBI200N-060 (базовая версия без дополнительного индекса)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R06KE3
• Fuji Electric: 2MBI200VA-060-50
• SEMIKRON: SKM200GB066D

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Особенности

• Высокая перегрузочная способность
• Низкие потери при переключении
• Встроенная защита от перегрева (при использовании с термодатчиком)

Если нужна более подробная информация (например, графики зависимостей или схемы подключения), уточните запрос.