IGBT 2MBI200NK060

Описание IGBT модуля 2MBI200NK060

2MBI200NK060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), разработанный компанией Fuji Electric. Он предназначен для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, преобразователях, промышленных приводах и других силовых электронных системах. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through), обеспечивающей низкие потери и высокую надежность.

Корпус модуля – 2 in 1 (два IGBT с общим эмиттером + два диода), что упрощает конструкцию двухфазных или полумостовых схем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------------------------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 400 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 830 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 70 нс |
| Время выключения (t_off) | 270 нс |
| Диод восстановления (t_rr) | 110 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.15 °C/Вт |
| Корпус | 2MBI (изолированный, с винтовыми клеммами) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги Fuji Electric:

• 2MBI200U4B-060 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 2MBI200U4H-060 (версия с низкими потерями)

Аналоги других производителей:

• Infineon: FF200R06KE3 (200A, 600V)
• Mitsubishi Electric: CM200DY-24NF (200A, 600V)
• SEMIKRON: SKM200GB066D (200A, 600V)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Модуль 2MBI200NK060 отличается высокой стойкостью к перегрузкам и долгим сроком службы благодаря технологии NPT IGBT.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!