IGBT 2MBI200U4B-060

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI200U4B-060
Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI200U4B-060
Производитель: Fuji Electric (Mitsubishi Electric, в зависимости от серии)
Тип модуля: IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором)
Конфигурация: Двухканальный (Dual IGBT с обратными диодами)
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и источниках питания.
Основные технические характеристики:
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 600 В | | Номинальный ток (Ic @ 25°C) | 200 А | | Макс. импульсный ток (Icm) | 400 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | ~600 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)) | ~1,8 В (при 200 А) | | Время включения (ton) / выключения (toff) | ~100 нс / ~300 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | 2-in-1 модуль (Dual) | | Сопротивление изоляции | 2500 В (мин.) | | Встроенные диоды | Да (FRD – Fast Recovery Diode) |
Парт-номера и аналоги:
Оригинальные аналоги (Fuji Electric / Mitsubishi):
- 2MBI200U4A-060 (предыдущая версия)
- 2MBI200U4C-060 (обновленная версия)
- 2MBI200U4E-060 (современная модификация)
Совместимые модели от других производителей:
- Infineon: FF200R06KE3
- SEMIKRON: SKM200GB12T4
- ON Semiconductor: NXH200B120H4Q1
Международные аналоги (в зависимости от параметров):
- IR (Infineon): IRG4PH50UD
- STMicroelectronics: STGW40H60DF
Применение и особенности:
- Используется в инверторах, ЧПУ, сварочных аппаратах, электроприводах.
- Имеет низкие потери при переключении.
- Корпус обеспечивает хороший теплоотвод (может требовать радиатор).
Если вам нужны аналоги с другими параметрами или уточнение по замене – укажите условия применения.