IGBT 2MBI200U4D120-50

Описание модуля IGBT 2MBI200U4D120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (серия N-серия)
Тип: IGBT-модуль (двухуровневый, двухканальный) с диодом обратного хода (FRD)
Применение: Преобразователи частоты, инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы, системы управления электродвигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (IC @25°C): 200 А
• Максимальный импульсный ток (ICM): 400 А
• Мощность рассеивания (Ptot): 1000 Вт
• Температура перехода (Tj): -40°C до +150°C

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2.1 В (тип.)
• Время включения (ton): 90 нс
• Время выключения (toff): 300 нс

Параметры диода (FRD):

• Прямое напряжение (VF): 1.8 В (тип.)
• Время восстановления (trr): 150 нс

Термические параметры:

• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0.12 °C/Вт
• Крепление: Винтовое (M5)

Габариты и вес:

• Размеры (Д×Ш×В): 130 × 62 × 30 мм
• Вес: ~200 г

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Mitsubishi:

• 2MBI200U4D-120 (упрощенная маркировка)
• 2MBI200U4D-120-50 (полный аналог)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF200R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI200U4D-120
• Semikron: SKM200GB12T4
• Hitachi: MBN200U4D120

Аналоги с близкими параметрами (на замену):

• 2MBI150U4D-120 (150 А, 1200 В)
• 2MBI300U4D-120 (300 А, 1200 В)

Особенности и примечания:

• Интегрированный температурный датчик (NTC) для защиты от перегрева.
• Высокая перегрузочная способность (2×IC).
• Подходит для жестких промышленных условий эксплуатации.

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять распиновку и конструктивные особенности корпуса. Для сложных систем лучше использовать оригинальные модули Mitsubishi.