IGBT 2MBI200U4H-170-50

Описание IGBT модуля 2MBI200U4H-170-50

Производитель: Mitsubishi Electric
Серия: NX / NXB (новое поколение IGBT модулей)
Тип: Двухкаскадный IGBT-модуль (DUAL) с диодами обратного восстановления (FRD)
Назначение: Используется в инверторах, частотных преобразователях, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное коллектор-эмиттер напряжение (V_CES): 1700 В
• Номинальный ток коллектора (I_C @25°C): 200 А
• Номинальный ток коллектора (I_C @80°C): 140 А
• Импульсный ток коллектора (I_CP): 400 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 700 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.18 °C/W

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.3 В (тип.)
• Время включения (t_on): 1.0 мкс
• Время выключения (t_off): 1.5 мкс

Параметры диода (FRD):

• Прямое напряжение (V_F): 1.8 В (тип.)
• Время обратного восстановления (t_rr): 150 нс

Температурные характеристики:

• Рабочая температура (T_j): -40°C до +150°C
• Температура хранения (T_stg): -40°C до +125°C

Конструктивные особенности:

• Корпус: Модульный, изолированный (базовая изоляция 2500 В)
• Монтаж: Винтовое крепление
• Вес: ~250 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 2MBI200U4H-170 (базовая модель)
• 2MBI200U4H-170-01 (с обновлённой пайкой)
• 2MBI200U4H-170-50 (обновлённая версия)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R17KE4
• Fuji Electric: 2MBI200U4H-170
• SEMIKRON: SKM200GB17E4

Совместимые модули (по параметрам):

• 2MBI150U4H-170-50 (150 А, 1700 В)
• 2MBI300U4H-170-50 (300 А, 1700 В)

Применение и замена

Модуль 2MBI200U4H-170-50 можно заменять на аналоги с близкими характеристиками, но необходимо учитывать:

• Напряжение (1700 В)
• Ток (200 А)
• Тип корпуса и монтажа

Перед заменой рекомендуется проверить datasheet на соответствие параметров.

Если требуется более точная информация, уточните условия эксплуатации (охлаждение, нагрузка и т. д.).