IGBT 2MBI200UM120-50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI200UM120-50
Описание IGBT модуля 2MBI200UM120-50
Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, уточните бренд, если необходимо)
Тип: Двухключевой IGBT-модуль с диодом обратного хода (DUAL IGBT + FRD)
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и других силовых электронных системах.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Номинальный ток IC | 200 А (при 25°C) | | Ток коллектора (макс.) | 400 А (пиковый) | | Напряжение насыщения VCE(sat) | ~1.8 В (тип.) при IC = 200 А | | Время включения/выключения (ton/toff) | н/д (уточните у производителя) | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.12 °C/Вт | | Корпус | Module (изолированный) | | Монтаж | Винтовой | | Диод обратного хода (FRD) | Встроенный, 200 А, 1200 В | | Рабочая температура | -40°C до +150°C (Tj max) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от Mitsubishi Electric:
- 2MBI200U2A-50 (аналогичные параметры)
- 2MBI200U4A-120 (возможная альтернатива)
Совместимые модели других брендов:
- Infineon: FF200R12KE3
- SEMIKRON: SKM200GB12T4
- Fuji Electric: 2MBI200U2H-120
Важно:
- Перед заменой проверяйте распиновку, параметры и корпусные размеры.
- Уточняйте характеристики в даташите, так как номиналы могут отличаться.
Если вам нужны точные данные (например, графики зависимостей или параметры при высоких температурах), укажите это — предоставлю дополнительные сведения.