IGBT 2MBI200VF-120-50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI200VF-120-50
Описание IGBT модуля 2MBI200VF-120-50
2MBI200VF-120-50 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для использования в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.
Модуль построен по схеме двух ключей (2-in-1), каждый из которых содержит IGBT-транзистор с антипараллельным диодом, что обеспечивает эффективную работу в импульсных режимах.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------| | Тип модуля | 2-канальный IGBT (2-in-1) | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Ном. ток коллектора (IC @25°C) | 200 А | | Импульсный ток (ICM) | 400 А | | Мощность (Ptot) | 600 Вт | | Напряжение затвора (VGES) | ±20 В | | Падение напряжения (VCE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (ton) | 0.3 мкс | | Время выключения (toff)| 1.2 мкс | | Термосопротивление (Rth(j-c)) | 0.15 °C/W | | Температура хранения | -40°C до +125°C | | Корпус | Изолированный (с керамической подложкой) |
Совместимые и аналогичные модели
Парт-номера Fuji Electric:
- 2MBI200U4H-120-50 (аналог с улучшенными характеристиками)
- 2MBI200U4H-120 (близкий аналог с аналогичными параметрами)
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF200R12KT4
- Mitsubishi Electric: CM200DY-24A
- SEMIKRON: SKM200GB12T4
- ON Semiconductor: NVGD200H120T3
Применение
- Преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Солнечные инверторы
Модуль отличается высокой надежностью и эффективностью в силовых схемах с высокими перегрузками.
Если нужны дополнительные данные (размеры, схема включения), уточните запрос!