IGBT 2MBI200VH-120-50

Описание IGBT-модуля 2MBI200VH-120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (возможны аналоги от других брендов)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (DUAL IGBT + FRD)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, источники питания, промышленные приводы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) при 25°C | 200 А | | Импульсный ток (I_CP) | 400 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 200 А) | | Время включения (t_on) | ~0.3 мкс | | Время выключения (t_off) | ~1.2 мкс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт | | Корпус | 2MBI (изолированный, для винтового монтажа) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Вес | ~150 г |

Совместимые модели и парт-номера

Оригинальные аналоги Mitsubishi:

• 2MBI200VH-120-50 (базовая модель)
• 2MBI200U4H-120-50 (аналог с улучшенными параметрами)
• CM200DY-24A (устаревший аналог от Powerex)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI200VA-120-50
• Semikron: SKM200GB12T4

Примечания

• Модуль требует использования теплоотвода с принудительным охлаждением при высоких токах.
• Рекомендуется проверять datasheet перед заменой на аналог (возможны различия в характеристиках).
• Совместимость зависит от схемы управления (напряжение затвора, параметры драйвера).

Если нужны дополнительные данные (например, распиновка или графики характеристик), уточните запрос.