IGBT 2MBI50120

Описание IGBT модуля 2MBI50120

2MBI50120 – это IGBT-модуль, разработанный компанией Mitsubishi Electric. Он представляет собой силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в преобразователях частоты, инверторах, сварочных аппаратах и промышленных приводах.

Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (half-bridge) конфигурации, что обеспечивает эффективное управление мощностью в схемах преобразования энергии.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип модуля | IGBT (Half-bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Тип корпуса | 2MBI (изолированный модуль) |
| Температура хранения | от -40°C до +125°C |
| Рабочая температура (T_j) | до +150°C |
| Напряжение управления затвором (V_GE) | ±20 В |
| Тип диода | Быстрый восстановительный (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 2MBI50U4H-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 2MBI50N-120 (аналогичный модуль с другим корпусом)

Совместимые / альтернативные модели от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы
• Сварочные аппараты

Модуль 2MBI50120 отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным выбором в силовой электронике.

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или схемам подключения, уточните детали!