IGBT 2MBI600N-060

Описание IGBT модуля 2MBI600N-060

2MBI600N-060 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных инверторных и преобразовательных систем. Модуль объединяет в одном корпусе два IGBT с обратными диодами (FRD), что делает его пригодным для построения полумостовых (Half-Bridge) схем.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------------|-------------| | Тип модуля | Half-Bridge (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 600 А (при 80 °C) | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 1200 А | | Мощность рассеивания (P_D) | ~3,0 кВт | | Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В | | Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1,7 В (при 600 А) | | Время включения (t_on) | ~90 нс | | Время выключения (t_off) | ~350 нс | | Корпус | 2MBI (изолированное основание) | | Рабочая температура | -40 °C до +150 °C |

Парт-номера и альтернативные обозначения

• 2MBI600N-060-50 (возможный вариант с дополнительным индексом)
• 2MBI600N060 (без дефиса, альтернативное написание)

Совместимые и аналогичные модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 2MBI600U4H-060 (более современный аналог, 600A/600V)
• CM600DY-24A (от Fuji Electric, 600A/600V, но в другом корпусе)
• FF600R06ME4 (от Infineon, 600A/600V, Half-Bridge)

Совместимые по параметрам (аналоги от других производителей):

• SKM600GB066D (Semikron)
• MG600Q1US41 (Toshiba)

Если вам нужен точный аналог, важно учитывать не только электрические параметры, но и корпус, схему включения и тепловые характеристики.

Нужна дополнительная информация по заменам или применению этого модуля?