IGBT 2MBI650VXA170-50

Описание и технические характеристики модуля IGBT 2MBI650VXA170-50

Производитель: Mitsubishi Electric (серия NX)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (RB-IGBT)
Конфигурация: Один IGBT с антипараллельным диодом (1 в 1)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, импульсные источники питания, системы управления двигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-------------------------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 650 В |
| Номинальный ток коллектора (IC @ 25°C) | 170 А |
| Номинальный ток коллектора (IC @ 80°C) | 85 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 340 А |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 1,7 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 60 нс (тип.) |
| Время выключения (toff) | 180 нс (тип.) |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,15 °C/Вт |
| Корпус | 6-контактный, модульный (NX-серия) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Монтаж | Винтовое крепление, изолированный корпус |

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные аналоги Mitsubishi:

• 2MBI650VX-170-50 (устаревший вариант)
• 2MBI650VXA170-50 (актуальная версия)

Совместимые и аналогичные модели других производителей:

• Infineon: FF650R17IE4
• Fuji Electric: 2MBI650V-170
• SEMIKRON: SKM650GB17T4
• ON Semiconductor: NXH650V170

Альтернативы с близкими параметрами (650V, 150-200A):

• STMicroelectronics: STGWA200H65DF3
• Hitachi: CM600HA-24H

Примечания по замене:

• Перед заменой на аналог следует уточнить распиновку, тепловые и электрические характеристики.
• Рекомендуется проверять datasheet на совместимость в конкретной схеме.

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики характеристик или применение в схемах), уточните запрос.